'4.3조' 반도체 기술 중국 유출…전 임원 구속

<앵커>

삼성전자의 핵심 반도체 기술을 빼돌린 혐의로 삼성전자의 전 임원과 연구원이 구속됐습니다. 경찰 조사 결과, 이들은 중국에다가 반도체 회사까지 차리고 4조 원이 넘는 가치의 기술을 유출한 것으로 드러났습니다.

사공성근 기자가 보도합니다.

<기자>

지난 2020년 중국 쓰촨성 청두에 세워진 반도체 업체 '청두가오전'입니다.

삼성전자와 하이닉스 임원을 지낸 최 모 씨가 청두시로부터 4천600억 원을 지원을 받아 설립한 합작회사입니다.

경찰은 반도체 기술을 중국에 빼돌린 혐의로 청두가오전의 대표 최씨와 공정설계실장 오 모 씨를 구속 송치했습니다.

이들은 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술, 코드명 '볼츠만'의 반도체 공정 절차서와 목표규격서 등을 유출해 무단 사용한 혐의를 받습니다.

경찰 조사 결과 최 씨는 중국에서 반도체 제조업체 설립을 추진하는 초기 단계부터 삼성전자에서 수석연구원을 지낸 오 씨 등 국내 반도체 전문인력을 대거 영입했습니다.

이후 빼돌린 기술로 지난 2022년 4월 실제 반도체로서 기능을 측정하는 기초 개발제품 생산을 한 것으로 조사됐습니다.

[조광현/서울경찰청 안보수사지원과장 : 국내 S사 18나노 공정 개발비용은 약 4.3조 원에 이르며, 경제효과 등을 감안할 때 실제 피해금액은 가늠하기 어려운 수준입니다.]

경찰은 청두가오전의 사업은 현재 중단됐고 20나노급 D램 양산도 성공하지 못했다며 중국 내 다른 기업에 기술이 유출된 정황은 확인되지 않았다고 설명했습니다.

경찰은 기술 유출에 가담했거나 국내업체에서 청두가오전으로 이직한 임직원 등 30여 명에 대해서도 수사를 이어가고 있습니다.

(영상취재 : 박대영, 영상편집 : 박지인)