반도체 차세대 공정법 유출하고 '징역 1년 반'…4명에 실형 선고 [자막뉴스]

SK하이닉스의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출하고, 삼성전자 자회사의 장비 도면을 빼돌린 혐의로 기소된 협력사 부사장에게 징역 1년 6개월의 실형이 확정됐습니다.

대법원은 오늘(12일) 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 재판에 넘겨진 SK하이닉스 협력업체 부사장 60대 A 씨에게 징역 1년 6개월을 선고한 원심 판결을 확정했습니다.

연구소장 등 다른 직원 3명도 징역 1년∼징역 1년 6개월의 실형, 다른 직원 1명은 징역 8개월에 집행유예 2년을 확정받았습니다.

행위자와 법인을 함께 처벌하는 양벌규정에 따라 기소된 협력사 법인에도 벌금 10억 원이 확정됐습니다.

A씨 등은 SK하이닉스와 협업하며 알게 된 반도체 세정 레시피, 하이케이메탈게이트(HKMG) 반도체 제조 기술 등 반도체 관련 핵심 기술을 2018년 중국 반도체 경쟁업체로 유출한 혐의로 기소됐습니다.

해당 기술은 D램 반도체의 속도를 높이면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 차세대 공정 신기술입니다.

이들은 삼성전자의 자회사인 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한 반도체 영업비밀을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 혐의도 받았습니다.

앞서 1심은 A씨에게 징역 1년을 선고했지만 2심은 징역 1년 6개월로 형량을 높였고, 검찰과 피고인들 모두 상고했습니다.

대법원은 "원심 판단에 산업기술보호법 위반에서 정한 국가핵심기술과 첨단기술, 부정경쟁방지법에서 정한 영업비밀 등에 관한 법리를 오해한 잘못이 없다"며 상고를 모두 기각했습니다.

(취재: 배성재, 영상편집: 이승진, 디자인: 김보경, 제작: 디지털뉴스편집부)