SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴습니다.

SK하이닉스는 어제(24일) 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔습니다.

SK하이닉스는 당초 다음 달부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행, 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점보다 계획보다 앞당기게 됐습니다.

용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 '생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약'을 맺은 데 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성, 인허가 절차에 속도를 냈습니다.

경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만 평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만 평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만 평), 인프라 부지(12만 평)로 조성되는 반도체 산업단지입니다.

SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정입니다.

1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표입니다.

SK하이닉스는 이곳을 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응, 중장기 성장 기반을 구축한다는 계획입니다.

SK하이닉스 측은 "클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정"이라고 설명했습니다.

(사진=SK하이닉스 뉴스룸 캡처, 연합뉴스)