'지분 860억'에…삼성반도체 핵심 기술 중국 통째로 유출

삼성전자의 핵심 공정기술을 빼돌려 중국의 반도체 회사를 세운 전직 임원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 오늘(27일) 중국 반도체 회사 청두가오전 대표 최 모 씨와 개발실장 오 모 씨를 산업기술 보호법 위반과 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속기소했다고 밝혔습니다.

이들은 지난 2019년 중국 지방정부의 4천억 원 상당 투자금으로 청두가오전을 설립한 뒤 삼성전자의 국가핵심기술인 'D램 공정기술'로 20나노 D램을 개발한 혐의를 받습니다.

최 씨와 오 씨는 각각 삼성전자 상무와 D램 메모리 수석 연구원으로 근무한 바 있습니다.

D램 반도체 공정기술은 글로벌 반도체 회사들도 개발에 4~5년이 걸리는 기술로 알려져 있습니다.

이들은 빼돌린 기술로 1년 반 만에 개발에 성공했고, 중국에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공한 것으로 조사됐습니다.

삼성전자는 당시 개발비 4조 원을 투입한 것으로 파악됐습니다.

검찰은 이 기술 유출로 삼성전자에 최소 수십조 원에 이르는 피해를 줬을 것으로 추산했습니다.

검찰은 경찰로부터 사건을 넘겨받은 뒤 최 씨가 860억 원 상당의 청두가오전 지분을 취득하고, 보수 명목으로 18억 원을 받은 사실도 밝혀냈습니다.

검찰은 "사안의 중대성을 감안해 경찰 수사단계에서부터 긴밀히 협력해 피고인들을 구속했다"며 "앞으로도 피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 말했습니다.