삼성 기술로 시제품도…중국으로 빼돌린 전 임직원 구속

<앵커>

삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국으로 빼돌린 전직 임직원들을 경찰이 수사하고 있다고 저희가 올해 초 단독으로 보도해 드렸습니다. 조사 결과 수조 원이 투입된 기술이 중국으로 유출돼 시범 제품까지 생산된 것으로 확인됐고, 경찰은 전직 임직원 2명을 구속 송치했습니다.

박재연 기자가 취재했습니다.

<기자>

[지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술, 코드명 '볼츠만'을 넘긴 혐의로]

삼성전자의 핵심 기술을 빼돌린 것으로 지목된 곳은 중국 쓰촨성 청두의 반도체 업체 '청두가오전'입니다.

삼성전자와 하이닉스 임원 출신 최 모 씨가 중국 쓰촨성 청두시로부터 4천600억 원을 지원받아 설립했습니다.

경찰은 최 씨가 청두가오전을 설립하면서 삼성전자 전직 D램 메모리 수석연구원 A 씨 등 국내 반도체 인력을 영입해 기술을 빼돌렸다고 밝혔습니다.

이직과 함께 삼성전자가 독자 개발한 18나노급과 20나노급 D램 반도체의 공정 순서와 조건, 규격 등 핵심정보가 담긴 자료들을 빼냈다는 것입니다.

청두가오전은 이를 바탕으로 제조공장 건설에 나선 지 1년 3개월 만인 지난 2022년 4월 20나노급 D램 시제품 제작에 성공했습니다.

통상 4~5년이 걸리는 개발 과정을 대폭 줄인 겁니다.

[조광현/서울경찰청 안보수사지원과장 : 국내 S사 18나노 공정 개발비용은 약 4조 3천억 원에 이르며 경제효과 등을 감안할 때 실제 피해금액은 가늠하기 어려운 수준입니다.]

경찰은 다만, 청두가오전의 사업이 현재 중단됐고 20나노급 D램 양산에는 성공하지 못했다고 밝혔습니다.

중국 내 다른 기업으로 기술이 유출된 정황은 확인되지 않았습니다.

경찰은 최 씨와 A 씨를 구속송치하고, 국내업체에서 청두가오전으로 이직한 30여 명도 입건해 추가 기술 유출이 있는지 조사하고 있습니다.

최 씨는 2018년에도 타이완 반도체 업체의 투자를 받아 중국 시안에 삼성전자 반도체 공장을 통째로 복제한 공장을 세우려 한 혐의로 재판을 받고 있습니다.

(영상취재 : 박대영·강시우, 영상편집 : 박지인)