삼성전자 경계현 "2∼3년 안에 반도체 세계 1위 되찾을 것"

반도체 업황 악화로 지난해 사상 최악의 적자를 낸 삼성전자 반도체 부문이 향후 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다는 의지를 밝혔습니다.

경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장은 오늘(20일) 경기 수원컨벤션센터에서 열린 제55기 주주총회에서 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한 지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것"이라며 이같이 말했습니다.

경 사장은 "기존 사업만으로는 장기적으로 반도체 1등을 유지할 수 없다"며 "연구개발(R&D) 투자를 통해 얻은 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자와 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환구조를 구축할 것"이라고 강조했습니다.

삼성전자는 지난해 인텔에 반도체 공급사 매출 1위 자리를 내줬습니다.

시장조사업체 가트너에 따르면 지난해 삼성전자 반도체 매출은 전년 대비 37.5% 줄어든 399억 달러로, 인텔(487억 달러)에 이은 2위였습니다.

반도체연구소는 양적·질적 측면에서 2배로 키울 계획인데 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 방침입니다.

경 사장은 "삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 핀펫(FinFET), 게이트올어라운드(GAA) 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획"이라고 설명했습니다.

이를 위해 오는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조 원을 투입하는 등 연구개발에 과감하게 투자할 방침입니다.

올해 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 크게 성장한 6천300억 달러를 기록할 것으로 예상됩니다.

경 사장은 삼성전자 DS부문의 매출도 2022년 수준으로 회복할 것으로 전망했습니다.

삼성전자는 메모리의 경우 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 활용한 128기가바이트(GB) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단을 쌓은 고대역폭 메모리(HBM)를 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾는다는 계획입니다.

경 사장은 "D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대와 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침"이라고 했습니다.


사업전략 발표 직후 이어진 '주주와의 대화' 시간에 주주들은 삼성전자 반도체 사업에 대한 다양한 질문과 의견을 쏟아냈습니다.

한 주주는 "삼성전자 반도체가 작년에 적자를 기록했고 이런 상황이 지속되고 있다"며 "이렇게 오랫동안 지지부진한 이유가 무엇이고, 올해는 어느 정도로 개선이 될 것인지 답변해달라"고 질문했습니다.

경 사장은 "여러 가지 이유가 있지만 업황의 다운턴도 있었고 저희가 좀 준비를 못 한 것도 있었다"며 "근원적인 경쟁력이 있었더라면 시장과 무관하게 사업을 좀 더 잘할 수 있었을 텐데 그러지 못했다"고 답했습니다.

이어 "사업적으로 보면 올해 1월부터는 적자에서 벗어나 흑자 기조로 돌아섰다고 생각한다"며 "이 자리에서 액수를 말씀드리기는 어렵지만 올해 전반적으로 어느 정도 궤도에 올라가는 모습을 볼 수 있을 것"이라고 덧붙였습니다.

또 다른 주주는 "HBM에서는 한발 늦었다고 인정한 것 같은데, HBM에 버금가는 차세대 시장으로 꼽히는 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)나 지능형 반도체(PIM)에서는 삼성이 확실히 경쟁사 대비 우위를 가지고 있는지 궁금하다"고 물었습니다.

경 사장은 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "CXL과 PIM은 다양한 고객들과 협의하면서 실제 적용 등을 진행하고 있고, 곧 가시적인 성과를 보일 수 있을 것"이라고 말했습니다.

(사진=연합뉴스)