삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 D램 개발에 성공했습니다.
삼성전자는 30나노급 공정을 적용한 2기가비트 D램을 지난달 개발해냈으며, 하반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 발표했습니다.
30나노급 공정이란 반도체 소자에 들어가는 회로의 선폭이 30나노미터급을 의미하는 것으로, 기존 40나노급 D램보다 생산성을 60% 가량 올릴 수 있고 50~60나노급 D램에 비해서는 두 배 이상의 원가 경쟁력을 갖고 있다고 삼성전자 측은 밝혔습니다.
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