삼성 '핵심 반도체 기술' 중국 유출한 전 임원 · 수석연구원 구속

삼성전자가 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 삼성전자 전 임원과 수석연구원이 경찰에 구속됐습니다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 지난 5일 삼성전자와 SK하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 최모 씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오모 씨를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 구속했습니다.

이들은 지난 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 7천여 개를 중국 '청두가오전' 기업에 유출한 혐의를 받습니다.

중국 청두시로부터 투자를 받아 청두가오전을 설립한 최 씨는 임원을 지낸 것으로 알려졌습니다.

경찰은 지난해 본격 수사에 착수해 오 씨의 자택을 압수수색했고 공정도 등을 발견해 조사를 벌여왔습니다.

지난 1월 경찰은 오 씨에 대해 구속영장을 신청했지만 기각된 바 있습니다.

이후 보완 수사를 거친 경찰은 다시 오 씨에 대해 구속영장을 신청했고 여기엔 최 씨도 포함됐습니다.

서울중앙지법은 "도망할 염려가 있다"며 영장을 발부했습니다.

(사진=연합뉴스)