반도체 기술 중국 유출 혐의 전 삼성 연구원 영장 기각

국내 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 수석연구원 50대 오 모 씨의 구속영장이 오늘(16일) 기각됐습니다.

이민수 서울중앙지법 영장전담 부장판사는 부정경쟁방지법 위반 혐의를 받는 오 씨에 대해 "범행에 대해 사실·법리적 측면에서 다투고 있고 현재까지의 수사 진행 상황 등에 비춰볼 때 방어권을 보장해줄 필요가 있다"며 구속영장을 기각했습니다.

이 부장판사는 "별다른 범죄 전력이 없고 주거가 일정하며 수사기관의 수사·소환에 성실히 응해왔다"며 "관련 증거들도 상당수 확보돼 피의자의 심문 태도 등을 감안할 때 구속의 필요성과 상당성이 인정된다고 보기 어렵다"고 덧붙였습니다.

경찰에 따르면 오 씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여 개 등을 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받습니다.

이날 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)에서 경찰은 오 씨로부터 압수한 20나노의 상위 기술인 18나노 D램 공정 설계 자료 일부와 16나노 D램 개발 계획 서류를 재판부에 제출하며 사안이 중대하다고 강조했습니다.

오 씨 측은 혐의를 전면 부인하면서 기억에 의존해 작성한 초안이라고 반박했습니다.

경찰은 지난해 청두가오전 임원인 오 씨의 집을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견해 수사해온 것으로 전해졌습니다.

청두가오전은 삼성전자 상무와 하이닉스 반도체 부사장을 지낸 최 모 씨가 2020년 중국 정부로부터 4천600억 원을 투자받아 쓰촨성 청두시에 설립한 합작회사입니다.

(사진=연합뉴스)