삼성, 세계 최초 3나노 반도체 양산…1위 TSMC 견제

삼성전자가 세계 최초로 파운드리용 3나노미터 공정 반도체 양산을 시작했다고 공식 발표했습니다.

3나노 공정은 반도체 회로의 선폭을 의미하는데, 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술입니다.

3나노는 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만 분의 3 수준으로 좁힌 것으로, 회로의 선폭을 가늘게 만들수록 반도체 소비 전력이 감소하고 처리 속도가 높아집니다.

이로써 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 삼성전자가 회로 선폭 기술에서 앞서게 됐습니다.

지금까지 삼성전자와 TSMC의 최소 선폭 공정은 4나노였습니다.

삼성전자가 반도체 초미세 공정 개발에 선도적으로 나선 것은 반도체 위탁 생산을 뜻하는 '파운드리' 시장에서 독주하고 있는 대만의 TSMC를 따라잡기 위한 전략으로 풀이됩니다.

삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'(Gate-All-Around) 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이룬 것으로 평가됩니다.

GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(FinFET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 알려졌습니다.

삼성전자는 이번 3나노 양산을 계기로 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC 추격에 박차를 가할 전망입니다.

대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 세계 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 53.6%로 1위였고, 삼성전자가 16.3%로 2위였습니다.

TSMC는 삼성전자에 이어 올해 하반기쯤 3나노 반도체 양산을 시작하고, GAA 기술은 2나노 공정부터 적용할 걸로 알려졌습니다.

삼성전자는 이번 3나노 반도체 양산에 이어 2025년 GAA 기반 2나노 공정을 시작할 계획입니다.

(사진=연합뉴스)