[단독] 삼성 '반도체 공정' 중국으로 유출…전 연구원 영장

<앵커>

반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로, 경찰이 삼성전자 전 연구원에 대해서 구속 영장을 신청했습니다. 반도체 제작 과정이 담긴 기술 공정도를 유출한 혐의인데, 그 전직 연구원은 현재 중국의 한 반도체 회사에서 핵심 임원으로 일하고 있습니다.

첫 소식 김형래 기자가 단독 취재했습니다.

<기자>

중국 쓰촨성 청두의 반도체 업체 '청두가오전'입니다.

경찰은 이 회사에 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술, 코드명 '볼츠만'을 넘긴 혐의로 전 삼성전자 수석연구원 A 씨에 대해 구속 영장을 신청했습니다.

A 씨는 700여 개에 달하는 반도체 제작 과정이 담긴 기술 공정도를 유출한 혐의를 받고 있습니다.

지난해 A 씨의 집 압수수색에서 해당 공정도가 발견된 것으로 전해졌습니다.

A 씨는 경찰 조사에서 자체적으로 만든 것이라고 주장했지만 경찰은 해당 공정도가 삼성전자의 기술이 맞다고 판단했습니다.

경찰은 A 씨가 청두가오전 최 모 대표에게 포섭된 걸로 보고 있습니다.

삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최 씨는 지난 2021년 청두시로부터 약 4천600억 원을 투자받아 '청두가오전'을 설립했습니다.

A 씨는 현재 이 회사에서 반도체 공정 설계를 주도하는 핵심 임원으로 일하고 있습니다.

경찰은 특히 20나노급보다 더 발전된 18나노 D램의 핵심 기술도 중국에 유출된 정황을 포착하고, 이 과정에 최 씨와 A 씨가 관여했는지도 집중 수사하고 있습니다.

중국이 20나노급 D램 기술을 확보하면서 삼성과의 반도체 기술 격차가 10년 안쪽으로 줄었다는 평가가 나오는데, 10나노급 기술까지 유출됐다면 격차는 더 좁혀질 거라고 전문가들은 보고 있습니다.

[이긍원/고려대 디스플레이·반도체물리학부 교수 : 시행착오를 건너뛰고 그냥 바로 뛰어들어간다면 상당히 공정 개발하는데 걸리는 시간을 단축할 수가 있죠.]

A 씨에 대한 영장실질심사는 내일(16일) 서울중앙지방법원에서 열립니다.

(화면출처 : bilibili, 영상편집 : 박진훈)

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