삼성 세계최초 '4GB HBM D램' 양산…7배 더 빨라진다

삼성전자가 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 '4기가바이트 고대역폭 메모리 D램'을 본격 양산한다고 밝혔습니다.

고대역폭 메모리 D램은 실리콘관통전극 기술을 적용해 D램 칩에 5천개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결, 기존의 금선을 이용한 D램 패키지보다 데이터 처리속도를 끌어올렸습니다.

실리콘관통전극 기술이란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술입니다.

4GB 고대역폭 메모리 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송, 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4Gb GDDR5보다 7배 이상 많은 데이터를 처리합니다.