미국, 첨단기술 유출혐의 중국계 물리학자 기소

고온 초전도체를 연구하던 중국계 미국인 물리학자가 자신의 기술을 중국 측에 유출한 혐의로 기소됐습니다.

현지시간 어제(22일) 미국 법무부에 따르면 펜실베이니아 주 연방대배심이 필라델피아 소재 템플 대학 물리학부의 47살 시샤오싱 교수를 기소했습니다.

미국 검찰은 시 교수에 대한 기소장에서 피고가 "미국 국방부의 일부 지원으로 미국 업체로부터 연구 장비를 구입하면서 이 장비의 복제나 역설계 등을 하지 않겠다는 서면 약속"을 했지만 이를 어기고 중국 측에 이 장비에 관한 기술을 제공하려 했다고 주장했습니다.

시 교수가 어떤 업체로부터 어떤 장비를 구매했는지 기소장에 명시돼 있지는 않지만, 미국 언론들은 시 교수가 반도체 박막을 이용한 고온 초전도체 분야에서 세계적 명성을 얻었던 만큼 초전도체와 관련된 장비였을 것이라고 추정했습니다.

전기 저항이 없는 물질인 초전도체는 전력 에너지 효율을 크게 높일 수 있지만, 지금까지 어떤 물질이 초전도 상태가 되려면 물질 자체의 온도가 매우 낮아야 했기 때문에 전 세계 과학자들은 상온에서 초전도 현상을 띠는 물질, 즉 고온 초전도체를 찾아내기 위한 연구에 주력해 왔습니다.

미국 당국의 시 교수에 대한 이번 기소는 중국 톈진대학 교수 등 중국인 6명을 산업스파이 등 혐의로 기소했다고 발표한 지 사흘 뒤의 일입니다.

중국 외교부는 자국민 6명이 기소된 데 대해 "엄중한 우려"를 표하기도 했습니다.