삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR 3D 램 개발에 성공해 하반기부터 양산 들어 간다.
40나노급 D 램보다 생산성은 60% 가량 향상, 전력 사용량은 20% 감소하는 효과가 있고 현재 대부분의 제품에서 사용중인 50나노급에 비해서는 두배 이상의 원가 경쟁력이 있다고 삼성전자는 밝혔다.
이렇게 숫자가 적을수록 고성능인것은, 그만큼 회로의 선폭이 줄어들기때문이다. 말하자면 50나노급이 큰붓으로 웨이퍼에 그리는것이라면 30나노급은 실붓으로 그림을 그리는것과 같은 의미다.
삼성전자는 이번 개발로 죽기 살기식의 이른바 '치킨 게임'을 벌였던 세계 다른 경쟁 업체와의 제조 경쟁력 격차를 1년 이상 벌리게됐다.
이번 30나노급 D램의 개발로 일반인들이 실제 생활에서 느낄수 있는 부분은, 노트북의 전력 사용량이 줄고 휴대전화의 배터리 사용량은 조금 늘어나고, 디지털 TV를 켰을때 화면이 나오는 속도가 빨라지는정도라고 한다.
이같은 피부로 느끼는 변화외에,,
현재 대세가 친환경, 절전형이라는점을 감안할 때 삼성의 30나노급 D램 개발은 이런 흐름에 적합하다고 할수 있다.
삼성전자는 내년 개발을 목표로 현재 20나노급을 개발중이라고 하는데, 50나노급에서 40나노급을 개발하는데 2년 4개월이 걸렸지만, 30나노급 개발까지는 불과 1년이 소요된점을 감안할때, 충분히 가능한 타임 테이블인것같다.
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