하이닉스반도체는 44나노 공정기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트 DDR3 D램을 개발해 올해 3분기부터 양산에 들어간다고 밝혔습니다.
이 제품은 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로, 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이라고 하이닉스는 설명했습니다.
이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정에 비해 생산성이 50% 이상 향상된 제품입니다.
하이닉스측은 새 제품이 3차원 트랜지스터 기술로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다고 강조했습니다.
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