하이닉스, 세계 최고속 모바일 D램 개발

하이닉스반도체(대표 우의제)는 세계 최고속, 최소형의 200메가헤르츠(㎒) 512메가비트(Mb) 모바일 D램 개발에 성공했다고 4일 밝혔다.

모바일 D램은 주로 휴대폰에 탑재되는 메모리로, 휴대폰의 배터리 수명을 감안해 일반적으로 컴퓨터에 장착되는 메인 메모리 사용 전력에 비해 최소 100분의1 수준의 저전력으로 설계되는 것이 특징이다.

이번에 개발된 512Mb 모바일 D램은 기존 제품보다 약 1.5배 가량 속도가 빠르고, 패키지 크기 또한 10원짜리 동전의 8분의1 수준인 8㎜×10㎜로 업계에서 가장 작다고 하이닉스는 덧붙였다.

하이닉스 관계자는 "이 제품은 휴대폰이 최근 3세대로 넘어가면서 DMB, 화상통화, 동영상 처리를 위해 요구되던 대용량, 고속화 조건을 충분히 만족시킬 것으로 판단된다"고 말했다.

하이닉스는 낸드플래시와 D램을 하나의 칩으로 만든 MCP(Multi Chip Package)에도 이 제품을 적용할 예정이며, 이 경우 부피가 더욱 작아져 슬림화된 휴대폰을 만드는 데 유리할 것으로 내다봤다.

하이닉스 관계자는 "현재 이 제품에 대해 주요 모바일 칩셋 업체를 통한 세계 최초 인증이 마무리 단계에 있다"며 "제품 인증과 함께 향후 세계반도체표준협회(JEDEC) 표준 규격을 선도해 나갈 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

하이닉스반도체는 향후에도 초고속, 저전력, 대용량에 대한 모바일 D램 시장의 다양한 요구에 적극 부응하는 모바일 제품의 개발과 판매를 강화할 방침이다.

(서울=연합뉴스)