미 법원, 하이닉스 3억달러 배상 평결

미국 노던 캘리포니아 지방법원 배심원단은 하이닉스 반도체에 대해서 메모리칩 기술 특허권 침해 혐의로 반도체 설계회사인 램버스에게 3억700만 달러의 손해배상금을 지급하라고 평결했습니다.

배심원단은 SDRAM으로 알려진 DRAM 컴퓨터 메모리 타입에 대해 3천50만 달러, DDRSD로 알려진 타입에 대해서는 2억7천640만 달러를 각각 배상하도록 했습니다.

램버스는 세계 최대 메모리칩 제조업체인 삼성전자에 대해서도 비슷한 소송을 진행하고 있습니다.