산업자원부는 광주 과학기술원 황현상 교수팀이 플래시메모리의 단점을 극복할 수 있는 저항변화 메모리 소자의 핵심 원천기술을 세계 최초로 개발했다고 밝혔습니다.
황 교수팀이 개발한 핵심 물질과 공정을 사용할 경우 데이터의 저장 상태가 10년 이상 유지되고 1천만번 이상의 정보 쓰기와 지우기가 가능해 실용화 가능성이 매우 높은 것으로 평가된다고 산자부는 덧붙였습니다.
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