삼성전자, 70나노 D램 세계 첫 개발

삼성전자가 세계에서 처음으로 70나노급 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 밝혔습니다.

삼성전자가 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 천400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술입니다.

70나노 512메가 DDR2 D램은 기존 90나노 제품에 비해 생산성이 2배 높으며 1.8볼트 저전압 동작으로 PC를비롯한 컴퓨팅 시스템 뿐 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현할 것으로 삼성전자는 기대했습니다.

삼성전자는 지난 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노에 이어 이번에 70나노급의 4세대 D램 공정기술개발에 세계 최초로 성공해 나노급 D램 기술분야 그랜드슬램을 달성하게 됐다고 설명했습니다.