삼성전자 중국 시안 반도체공장 2기 라인 착공…V낸드 생산

삼성전자가 데이터센터 등 3D(3차원) V-낸드플래시 수요 증가에 대응하기 위해 중국 시안(西安)의 반도체 공장에 2기 생산라인을 건설합니다.

삼성전자는 중국 산시성(陝西省) 시안시(西安市)에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식'을 열었습니다.

삼성전자는 작년 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 3년간 총 70억 달러(약 7조8천억원)를 투자하겠다고 산시성 정부와 MOU(양해각서)를 체결했습니다.

시안 반도체 2기 라인은 내년 중 완공될 예정이며 이후 반도체 생산장비를 들여와 V-낸드 양산에 나서게 됩니다.

삼성전자 관계자는 "이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일·IT(정보기술) 업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국 시장에서 제조 경쟁력을 더 강화하고, 중국 시장 요구에 더 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대한다"고 말했습니다.

V-낸드는 기존의 평면 낸드와 달리 회로를 위로 쌓아 3차원 구조로 만든 낸드플래시로, 집적도가 높아 용량이 큽니다.

최근 글로벌 IT 기업들이 경쟁적으로 짓고 있는 데이터센터는 물론, 스마트폰 저장장치, HDD(하드디스크드라이브)를 대체할 SSD(솔리드스테이트드라이브) 등을 중심으로 수요가 늘고 있습니다.

삼성전자는 2014년부터 시안 반도체 공장에서 V-낸드를 양산해왔으나 가동률이 100%임에도 공급이 달리자 라인 증설에 나섰습니다.

삼성전자는 이번 투자로 시안시를 비롯한 산시성 지역의 경제 활성화와 중국 서부지역의 산업에도 긍정적 파급효과가 있을 것으로 예상했습니다.

(사진=삼성전자, 연합뉴스)