삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 D램 시대'를 열었습니다.

삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급 8기가비트 DDR4 D램을 양산했다고 밝혔습니다.

2014년 당시 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 삼성전자는 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한 번 메모리 기술의 이정표를 세웠습니다.

이번 제품에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술이 적용됐습니다.

10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작 속도가 30% 이상 빠른 3천200Mbps를 구현할 수 있는데 동작 상태에 따라 소비전력을 10∼20% 절감할 수 있습니다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램을 출시해 모바일 시장 선도 기업들이 글로벌 소비자의 편의를 높이는 데 기여하겠다"고 말했습니다.