삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 경기도 화성 16라인을 가동하고 세계에서 처음으로 20나노급 낸드 플래시와 D램 양산을 시작했습니다.

삼성전자는 22일 오전 경기 화성 나노시티 캠퍼스에서 이건희 삼성전자 회장과 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여 명이 참석한 가운데 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사를 한다고 밝혔습니다.

지난해 5월 착공해 1년3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산 라인으로 이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 만장 이상 생산합니다.

삼성전자는 이와 함께 세계 최초로 20나노급 2기가비트 D램의 양산을 시작했다고 밝혔습니다.

20나노급 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 D램과 동등한 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 제품입니다.