하이닉스반도체는 나노기술을 업그레이드한 메모리반도체 양산시기를 앞당겨 D램의 경우 54나노 1Gb DDR2 제품을 2.4분기에 개발해 3.4분기부터 양산하고 44나노 1Gb DDR3 제품도 연내 개발에 들어가 내년 상반기 완료할 계획입니다.

하이닉스는 또한 D램 기술경쟁력 강화를 위해 신규 기술이 전개될 때마다 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수를 45% 이상 늘리고, 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킬 예정입니다.

낸드 플래시의 경우 48나노에서 20나노까지의 기술 개발을 연속선상에서 동시에 진행해 48나노 제품을 1.4분기에 개발해 2.4분기부터 양산하고, 41나노 제품도 연말에 개발하기로 했습니다.

차세대 저장장치로 부각되고 있는 SSD도 하반기부터 128GB 제품 등을 본격 출시해 고객 요구에 적극 대응할 계획입니다.