삼성전자가 세계 최초로 80나노 공정을 512 메가비트 DDR 2 D램에 적용해 양산에 돌입한다고 밝혔습니다.

이로써 삼성전자는 2003년 업계 최초로 100나노 공정을 통해 D램 양산을 시작한 이후, 2004년 90나노에 이어 3세대 연속 최첨단 나노 D램 기술을 주도하게 되는 셈입니다.

업계는 80나노 공정을 적용하면 현재 주력 공정인 90나노 공정에 비해 생산성이 50% 이상 향상되며 기술상의 연속성으로 추가 투자 규모도 최소화할 수 있을 것으로 보고 있습니다.