삼성전자에서 중국 기업으로 이직한 뒤 불법 유출된 국가 핵심 기술로 중국 최초의 18나노 D램 반도체를 개발한 전직 임원과 연구원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 오늘(1일) 삼성전자 전직 임원 양 모 씨와 전직 연구원 신 모 씨, 권 모 씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소했다고 밝혔습니다.
양 씨 등은 삼성전자에서 중국 D램 반도체 회사 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지)로 이직한 뒤, CXMT의 '2기 개발팀' 핵심 인력으로 불법 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심 기술을 부정 사용해 개발을 완수한 혐의를 받습니다.
CXMT는 중국 지방정부가 2조 6천 억 원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사로, 유출된 기술은 삼성전자가 1조 6천 억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술입니다.
앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심 기술 유출 정황을 포착해 CXMT의 '1기 개발팀'에 참여한 삼성전자 전직 부장 김 모 씨와 연구원 출신 전 모 씨 등 2명을 각각 구속기소했습니다.
이후 검찰은 개발 과정에 대한 추가 수사를 진행해 CXMT로 이직해 1기 개발실장을 맡은 김 씨가 삼성전자 퇴직자 A 씨로부터 D램 공정 국가 핵심 기술 유출 자료를 부정 취득한 사실을 확인했습니다.
그 뒤, CXMT 2기 개발팀의 개발실장으로서 전체 개발을 총괄한 양 씨와 공정 개발을 총괄한 신 씨, 실무 총괄을 맡은 권 씨는 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 이를 바탕으로 중국 최초로 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 드러났습니다.
검찰 수사 결과, 이들은 1기 개발팀의 사업을 이어받아 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고, 이를 토대로 제조 테스트를 진행하는 등 완성 작업을 수행한 것으로 밝혀졌습니다.
신 씨 등은 개발에 참여하는 대가로 CXMT로부터 4∼6년간 삼성전자 연봉의 3∼5배에 달하는 15억∼30억 원의 높은 급여를 받은 것으로 조사됐습니다.
이 사건으로 발생한 삼성전자의 매출 감소액은 지난해 기준 5조 원으로 추정되고, 향후 피해 규모는 최소 수십조 원까지 불어날 것으로 보입니다.
삼성전자에서 수백 단계의 공정 정보를 노트에 베껴 유출한 것으로 조사된 A 씨는 현재 인터폴 적색 수배 중입니다.
검찰은 "앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응할 것"이라고 밝혔습니다.