<앵커>
우리나라의 반도체 20나노급 D램 공정 기술을 중국에 유출한 혐의를 받고 있는 전 삼성전자 연구원이 구속의 갈림길에 놓였습니다. 경찰은 반도체 기술 인력의 유출 정황도 포착했습니다.
정준호 기자가 취재했습니다.
<기자>
서울중앙지법은 전 삼성전자 수석연구원 A 씨에 대한 구속 전 피의자 심문을 진행하고 있습니다.
A 씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술, 코드명 '볼츠만'의 기술 공정도 700여 개를 중국의 반도체 업체 '청두가오전'에 넘긴 혐의를 받고 있습니다.
경찰은 지난해 A 씨의 집 압수수색에서 해당 공정도를 발견한 것으로 전해졌습니다.
A 씨는 공정도를 자체적으로 만든 것이라고 주장했지만, 경찰은 삼성전자의 기술로 판단했습니다.
경찰은 A 씨가 청두가오전 최 모 대표에게 포섭된 걸로 보고 있습니다.
삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최 씨는 지난 2020년 청두시로부터 약 4천6백억 원을 투자받아 '청두가오전'을 설립했습니다.
A 씨는 현재 이 회사에서 반도체 공정 설계를 주도하는 핵심 임원으로 일하고 있습니다.
경찰은 특히 20나노급보다 더 발전된 18나노 D램의 핵심 기술도 중국에 유출된 정황을 포착하고, 이 과정에 최 씨와 A 씨가 관여했는지도 집중 수사하고 있습니다.
경찰은 청두가오전이 컨설팅과 헤드헌팅 업체 등을 통해 국내 반도체 인력 200여 명을 빼내갔다는 의혹에 대해서도 수사하고 있습니다.
경찰은 이들 가운데 회사 내부 자료를 빼 간 것으로 의심되는 60여 명을 입건해 수사하고 있습니다.
(화면출처 : bilibili, 영상편집 : 소지혜)